IGBT混搭SiCSBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势：●没有Si二极管的反向恢复损耗Erec●降低30%以上IGBT的开通损耗Eon因此，在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiCSBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。特别提醒仿真无
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IGBT混搭SiCSBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势：●没有Si二极管的反向恢复损耗Erec●降低30%以上IGBT的开通损耗Eon因此，在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiCSBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。特别提醒仿真无
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利用射频识别技术（RadioFrequncyIdentification）开发的非接触式IC识别器，与传统的接触式IC卡、磁卡相比较，在系统寿命、防监听、防解密等性能上具有很大的优势。本文介绍利用MCUP89LPC932、MFRC632、Mifare卡等构建的非接触式专用IC读写器，充分利用了MFRC632的射频识别读写器芯片的功能。所使用的器件大部分都是PHILPS公司的器件，具有典型性和一定的
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